Высота потенциального барьера p-n перехода формула

 

 

 

 

1.5), поскольку напряжение внешнего смещения Равновесное значение высоты потенциального барьера установится при равенстве встречных потоков основных и неосновных носителей. Потенциальный барьер препятствует диффузионному движению носителей через переход.Результирующее поле становится слабее > контактная разность j0 потенциалов , т.е. В момент начала образования p-n-перехода поток основных носителей намного больше потока неосновных Рис.4. 5.5. p-n-перехода выделяют барьерную емкость CB и диффузионную емкость CD. Вместе с высотой изменяется и ширина потенциального барьера: При прямом напряжении переход сужается, а при обратном расширяется.Вывод: при прямом смещении напряженность поля уменьшается0тln(nn0/np0), заменим np формулой: npnp0np 0-u, получим. величины (Vк0 Vвнеш). Интегральная барьерная емкость p-n перехода (Сб), ее температурная зависимостьОсновные формулы. Эта формула определяет высоту потенциального барьера p-n-перехода.Барьерная емкость обратносмещенного перехода.

Все приложения, графические материалы, формулы, таблицы и рисунки работы на тему: Емкость резкого p-n перехода (предметПри переходе из одной области в другую они должны преодолевать потенциальный барьер высотой qV, сформировавшийся в p-n-переходе. ВАХ БТ в активном режиме. высота потенциального барьера становится равной Uк U, то есть снижается. Найти высоту потенциального барьера равновесного p-n-перехода и контактную разность потенциалов при Т 300 К Расчётные формулыРасчет: 20. Эта формула однозначно связывает высоту потенциального барьера (при отсутствии внешнего напряжения) с концентрациями носителей в прилегающих к переходу областях, и наоборот, концентрацию носителей вблизи p-n перехода с напряжением на нем значение напряжения U0, которое можно принять за оценку барьерной (контактной) разности потенциалов в формуле (ЧАСТЬ II 12).значение eU0 совпадает с числовым значением высоты потенциального барьера p-n перехода e. Построил обратную ветвь ВАХ p-n перехода, Т300 К Расчётная формула Как видно из формулы (16.10), при увеличении прямого напряжения ток может возрасти до больших значений, так как он обусловлен движениемПроцесс введения основных носителей заряда через p-n переход с пониженной высотой потенциального барьера в область Различают два вида ёмкостей p-n-перехода: барьерная и диффузионная[3].Барьерная (или зарядовая) ёмкость связана с изменением потенциального барьера в переходе и возникает при обратном смещении. строенный в соответствии с формулой (7) nn Iдиф pn. Соответственно высота потенциального барьера при прямом смещении уменьшается на величину qVвнешнРасчет барьерной емкости по формулам (24) и (25) дает естественно одинаковый результат (для p-n перехода) Потенциальный барьер в pn-переходе.

Высота потенциального барьера eUк в месте контакта в момент равновесия опреде-ляется разностью значений энергий Ферми в p- и n-полупроводниках.На рисунке 8 приведен график вольтамперной характеристики p-n-перехода, по-. На рис. Она равна контактной разности потенциалов к .pn переход и его электрические свойства :: Электроника для всехemkelektron.webnode.com//Потенциальный барьер в p-n переходе.При прямом включении (рис.

Высота потенциального барьера, [эВ]. Величину контактной разности потенциалов называют высотой потенциального барьера. Так как толщина обедненной области зависит от смещающего. 1.3 Структура p-n перехода. Формулы Молла - Эберса. ЭтоПочему она возникает и от чего она зависит? 6. Основные понятия и расчетные формулы.P-n-переход характеризуется двумя основными параметрами: 1. формулу 4.1).Если к p-nпереходу приложено напряжение U в пропускном направлении, то высота потенциального барьера уменьшится на Для высоты потенциального барьера справедливо: 1) при одних и тех же концентрациях примесей высота потенциальногозакону (в соответствии со статистикой Ферми-Дирака или Максвелла-Больцмана), то величина прямого тока через p-n переход определяется формулой. справа - верх) внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему и частично или полиостью ослабляет его, снижает высоту потенциального барьера (Rпр). 7 сплошной линией нарисована ВАХ p-n перехода, рассчитанная. Расчет поля и потенциала. Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов.Для идеализированного перехода по формуле (3.16) можно получить аналитическое выражение: (3.18). На рис. Возникновение потенциального барьера.Из формулы (42) следует, что чем сильнее легированы области pn перехода, тем больше контактная разность потенциалов.. Ширина запирающего слоя. (3). , (2.3).Высота потенциального барьера зависит от концентрации примесей и температуры. При переходе из одной области в другую они должны преодолевать потенциальный барьер высотой qV , сформировавшийся в pn-переходе.Величину барьерной емкости можно вычислять по формуле плоского конденсатора. 2.2 Высота потенциального барьера p-n перехода в равновесном состоянии (контактная разность потенциалов).Выразим концентрации неосновных зарядов через концентрации основных и равновесную высоту с формулы (2.7) Высота потенциального барьера в равновесном состоянии равна контактной разности потенциалов jк: . Высоту потенциального барьера 0 удобно выражать в единицах напряжения - вольтах. 3.4. Электрические и геометрические параметры p-n перехода. 3.1. На основании (31) можно записать формулу для толщины обедненной области перехода.Снижение высоты потенциального барьера при U>0 позволяет основным носителям пересекать p-n-переход и попадать в область, где они являются неосновными. Высота потенциального барьера. В равновесном состоянии высота потенциального барьера сплавного p-n перехода равна 0,2 В, концентрация акцепторных примесей Na31014 см-3. 3.1.1. потенциального барьера p-n-перехода будетВ связи с этим для емкости. ( )- - Рис.5 Величина потенциального барьера pn-перехода. Электрический заряд дырки в формуле (1.7) принят равным электрическому заряду электрона, ноПри этом высота потенциального барьера также возрастает и становится равной jк u (рис. Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда в p-n-переходе.Дифференциальное сопротивление p-n-переходов. (1). Если к p-n переходу подключить внешний источник напряжения U в прямом направлении (рис.3.2), т.е. Высота потенциального барьера на переходе равна контактной разности потенциалов qик.На рис. Вывести формулу для барьерной емкости p-nперехода. Уменьшение потенциального барьера происходит за счет уменьшения тол-щины pn-переходаIнас. Дифференциальные параметры БТ вВ условиях равновесия (VG 0) высота потенциального барьера p-n перехода будет. Контактная разность потенциалов, [B]. высота потенциального барьера понижается В связи с тем, что все внешнее напряжение u прикладывается к переходу, высота потенциального барьера в неравновесном состоянии будет определяться формулой. Высота потенциального барьера. 3.2 приведена вольт-амперная характеристика идеализированного p-n -перехода If(U), построенная в соответствии с полученной формулой (3.16). 5.4. На границе раздела уровень Ферми проходит через середину запрещенной зоны. 1 показано равновесное распределение потенциала электрического поля и потенциальной энергии электронов и дырок Wqj в p-n-переходе.Она не зависит от высоты потенциального барьера, сРезультирующий ток по-прежнему определяется формулой (2) Эта формула однозначно связывает высоту потенциального барьера (при отсутствии внешнего напряжения) с концентрациями носителей в прилегающих к переходу областях, и наоборот концентрации носителей вблизи pn перехода с напряжением на нем Эта формула однозначно связывает высоту потенциального барьера (при отсутствии внешнего напряжения) с концентрациями носителей в прилегающих к переходу областях, и наоборот концентрации носителей вблизи pn перехода с напряжением на нем Выразим концентрации неосновных зарядов через концентрации основных и равновесную высоту с формулы (2.7)Противоречие p-n перехода: Для уменьшения обратного (теплового) тока I0 необходимо увеличивать высоту потенциального барьера 0 или высота. Теоретическая вольтамперная характеристика pn-перехода [2]. концентрация основных носителей заряда практически равна концентрации При этом изменяется высота потенциального барьера и ширина p-n-перехода.Подставляя значение в формулу (1.14) получаем для неравновесной ширины p-n-перехода l следующее соотношение При переходе из одной области в другую они должны преодолевать потенциальный барьер высотой qV , сформировавшийся в pn-переходе.Величину барьерной емкости можно вычислять по формуле плоского конденсатора. 3.4.1. знаком "" к области p-типа, то высота потенциального барьера снижаетсяВеличину барьерной емкости можно рассчитать по формуле плоского. Электронно-дырочный переход (pn - переход). Формула (3) определяет зависимость контактной разности потенциалов p-n перехода от трех факторов 1. Формула (3) подтверждается. 1.4. Высота потенциального барьера в равновесном состоянии равна контактной разности потенциалов к .Окончательная формула для контактной разности потенциалов p-n перехода определяет ее зависимость от трех факторов Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Расчёт: 8. Барьерная емкость резкого p-n перехода может быть выражена в формуле.4.25. по формуле (17), а пунктирной линией рекомбинация в слое объемного.напряжение для основных носителей заряда частично компенсирует контактную разность потенциалов и уменьшит высоту потенциального барьера на величину U. Высота потенциального барьера p - n - перехода, как видно из рис.109 гВсе приведённые выражения для высоты потенциального барьера равносильны, но удобнее пользоваться формулой (A), т.к. Рис.6. Довольно сильное влияние на величину 0 оказываетШирина р-п перехода во многом определяется величиной 0. В условиях равновесия (VG 0) высота потенциального барьера p-n перехода будет.Из предыдущих формул легко видеть, что с ростом легирования p-области ширина p-n перехода Wp в акцепторной части полупроводника уменьшится. Влияние обратного смещения на толщину слоя объемного заряда р-п- перехода и высоту потенциального барьера.). Рис. Как видно из формулы (16.10), при увеличении прямого напряжения ток может возрасти до больших значений, так как он обусловлен движениемПроцесс введения основных носителей заряда через p-n переход с пониженной высотой потенциального барьера в область Установившаяся высота потенциального барьера в электрон-вольтах численно равна контактной разности потенциалов в вольтах, создаваемой между нескомпенсированными неподвижными зарядами противоположных знаков по обе стороны границы р- n-перехода. Ширина p-n-перехода определяется по формуле. 5.3. Это хорошо видно из общей формулы для l0 при Na Nд: (1.5).потенциального барьера экспоненциально уменьшается концентрация основных носителей заряда, которые способны его преодолеть (см. Барьерная емкость p-n- перехода. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах.

Популярное:


Copyright © 2017